Power Transistor के objective questions /IGBT , MOSFET and BJT
(1) निम्न में से कोनसी Power transistor device नहीं है।
(A) MOSFET
(B) IGBT
(C) BJT
(D) SCR
(2) IGBT का on state voltage drop कितना है।
(A) 5V
(B) 7V
(C) 4V
(D) 2V
(3) MOSFET किस Mode में कार्य करता है।
(A) Depletion Mode
(B) Enhancement Mode
(C) A and B
(D) None
(4) IGBT का तापमान बढ़ाने पर प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है।
(A) बढ़ेगा
(B) कमी
(C) कोई परिवर्तन नहीं होगा।
(D) कोई नहीं
(5) MOSFET को किस नाम से जाना जाता है।
(A) IGT
(B) GMFET
(C) IGTFET
(D) IGFET
(6) निम्न में से किसकी switching speed higher है।
(A) BJT
(B) MOSFET
(C) IGBT
(D) FET
(7) MOSFET की Input impedance
(A) Low
(B) Moderate
(C) High
(D) Vary Low
(8) FET निम्न में से किस Mode पर कार्य करता है।
(A) Enhancement Mode
(B) Depletion Mode
(C) A and B
(D) None
(9) IGBT को किस नाम से नहीं जाना जाता है।
(A) IGT
(B) GMFET
(C) IGTFET
(D) IGFET
(10) MOSFET की Switching speed क्या है।
(A) GHz
(B) KHz
(C) THz
(D) MHz
(11) IGBT में tirminal है।
(A) Emitter , collector , Base
(B) Emitter , collector , Gate
(C) Source, Drain , Gate
(D) Anode, Cathode , Gate
(12) निम्न में से Current Control device है।
(A) FET
(B) MOSFET
(C) IGBT
(D) BJT
(13) IGBT किसका संयुक्त रूप है
(A) BJT+FET
(B) BJT+ MOSFET
(C) MOSFET + FET
(D) MOSFET+ SCR
(14) निम्न में से FET के Advantage है।
(A) Batter thermal stability
(B) Less size
(C) Less Noise
(D) All above
(15) निम्न में से किसका Symbol है।
(A) BJT
(B) MOSFET
(C) IGBT
(D) FET
(16) IGBT की current rating है।
(A) 1KA
(B) 500A
(C) 2.5KA
(D) 3KA
(17) FET के द्वारा Control किया जाता है।
(A) Current
(B) Voltage
(C) A and B
(D) None
(18) निम्न में से IGBT के Disadvantages नहीं है।
(A) IGBT की Switching speed MOSFET से कम
(B) बहुत कम परिणाम पर high current को handle किया जाता है।
(C) IGBT MOSFET and BJT से महंगा है।
(D) IGBT में धारा प्रवाह एक ही दिशा में
(19) MOSFET का प्रयोग किया जाता है।
(A) Logical circuit
(B) TV receiver में mixer के रूप में
(C) UPS
(D) All above
(20) निम्न में से किसका Symbol है।
(A) N-Channel FET
(B) P-Channel FET
(C) N-Channel MOSFET
(D) P-Channel MOSFET
(21) IGBT का प्रयोग नहीं किया जाता है।
(A) SMPS
(B) TV receiver में mixer के रूप में
(C) UPS
(D) Welding machine में
(22) MOSFET कितने degree Celsius ताप का मापन करता है।
(A) 100
(B) 200
(C) 1000
(D) 500
(23) Power transistor के switching speed का बढ़ते क्रम -
(A) BJT < MOSFET < IGBT
(B) IGBT < BJT < MOSFET
(C) BJT > MOSFET > IGBT
(D) BJT < IGBT < MOSFET
(24) IGBT की operating frequency है।
(A) 1MHz
(B) 50KHz
(C) 10KHz
(D) 300Hz
(25) निम्न में से किसका। Symbol है।
(A) N-Channel FET
(B) P-Channel FET
(C) N-Channel MOSFET
(D) P-Channel MOSFET
(26) IGBT एक source device है।
(A) Voltage source device
(B) Current source device
(C) A and B
(D) None
(27) MOSFET की input impedance -
(A) Low
(B) Vary Low
(C) Mediam
(D) High
(28) FET का ताप गुणांक है।
(A) Positive
(B) A and C
(C) Negative
(D) None
(29) MOSFET में कितनी Leyer है।
(A) 2
(B) 6
(C) 4
(D) 3
(30) निम्न में से कोनसी device Voltage Control नहीं है।
(A) FET
(B) IGBT
(C) MOSFET
(D) BJT
(31) IGBT की Switching speed किसके कारण High है।
(A) BJT
(B) FET
(C) MOSFET
(D) SCR
(32) Depletion Type MOSFET किस पर कार्य करते हैं।
(A) Positive Supply
(B) Negative Supply
(C) A and B
(D) None
(33) FET के लिए सही कथन का चयन कीजिए।
(A) Current Control device
(B) Unidirectional device
(C) Voltage source device
(D) Unipolar device
(34) IGBT में कितनी Leyer है।
(A) 3
(B) 2
(C) 5
(D) 4
(35) High power and High Current को handle करने वाली device है।
(A) BJT
(B) MOSFET
(C) IGBT
(D) GTO
1D,2D,3C,4A,5D,6B,7C,8B,9D,10D,11B,12D,13B,14D,15C,16B,17B,18B,19B,20A,21B,22B,23D,24B,25B,26B,27D,28C,29D,30D,31C,32A,33D,34D,35C
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