IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor / IGBT का निर्माण BJT and MOSFET से मिलकर किया जाता है। / IGBT कि output विशेषताएं MOSFET के समान है।
IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT का निर्माण BJT and MOSFET से मिलकर किया जाता है। IGBT कि धारा वहनक्षमता BJT के समान है। IGBT कि output विशेषताएं MOSFET के समान है। IGBT High current and high power को handle करता है। High efficiency and high switching की वजह से MOSFET and BJT के स्थान पर IGBT का प्रयोग किया जाता है। Symbol Terminal 3 (Emitter ,Collector ,Gate) Layer 4 (PNPN ) Depletion layer 3 Junction 3 IGBT में Transistor की वजह Saturation Voltage Low , input impedance high है। IGBT input में Transistor and output output में MOSFET की भांती कार्य करता है। Advantage IGBT high voltage and high current के लिए प्रयोग किया जाता है। Input impedance High (Maga ohm ) IGBT की Switching speed Transtor से अधिक होती है। IGBT का Power gain MOSFET and BJT से अधिक होता है। IGBT को बहुत कम परिणाम पर gate voltage द्वारा High current को handle किया जाता है। Disadvantages IGBT BJT and MOSFET से महंगा होता है। IGBT की Switching speed MOSFET से...
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