IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor / IGBT का निर्माण BJT and MOSFET से मिलकर किया जाता है। / IGBT कि output विशेषताएं MOSFET के समान है।

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

IGBT का निर्माण BJT and MOSFET से मिलकर किया जाता है।

IGBT कि धारा वहनक्षमता BJT के समान है।

IGBT कि output विशेषताएं MOSFET के समान है।

IGBT High current and high power को handle करता है।

High efficiency and high switching की वजह से MOSFET and BJT के स्थान पर IGBT का प्रयोग किया जाता है।

Symbol

 Terminal  3 (Emitter ,Collector ,Gate)

Layer  4‌ (PNPN )

Depletion layer  3

Junction 3

IGBT में Transistor की वजह Saturation Voltage Low , input impedance high है।

IGBT input में Transistor and output  output में MOSFET की भांती कार्य करता है।

 Advantage

IGBT high voltage and high current के लिए प्रयोग किया जाता है।

Input impedance High (Maga ohm )

IGBT की Switching speed  Transtor से अधिक होती है।

IGBT का Power gain MOSFET and BJT  से अधिक होता है।

IGBT को बहुत कम परिणाम पर gate voltage द्वारा High current को handle किया जाता है।

Disadvantages

IGBT BJT and MOSFET से महंगा होता है।

IGBT की Switching speed MOSFET से कम है।

IGBT में धारा का प्रवाह एक दिशा में।

Application

SMPS 

UPS 

Welding machine

AC DC motor device

Inverter

Chopper

NOT- 1        IGBT 

Bipolar device

Unidirectional device

Voltage Control device

Current Source device

NOT- 2        IGBT 

Input voltage  4 - 8V

Current rating 500A

Voltage range 1.2kv

Frequency    50KHz

IGBT का on state voltage drop 2-3V

IGBT का temperature 175 degree Celsius

Input impedance High (Maga ohm )

Output impedance Low (ohm)

NOT- 3        IGBT - As known

IGT - Insulated Gate Transistor

IGTFET - Insulated Gate Transistor Feild Effect Transistor

GMFET - Gate Modulated Feild Effect Transisto

NOT- 4        IGBT - As known

Switching Speed 

IGBT Frequency - 50KHz

MOSFET Frequency - 1MHz

BJT Frequency  -  20KHz

Switching Speed = MOSFET >IGBT>BJT